260页深度《“芯”时代“芯”机会PARTI》【中泰郑

作者: 公司产品  发布:2020-01-22

  ■第八章:关注核心材料国产突破,替代空间巨大。全球半导体材料市场回暖,与往常不同的是,此次晶圆前端制造材料率先增长,与我们传导图预测一致。整体来看,半导体材料产业持续东移,中国大陆增速第一,国产替代稳步推进:硅片向大尺寸演进是大势所趋,大尺寸硅片被国际垄断,国产项目陆续推进,上海新阳12寸正片已实现出货;国产光刻胶已突破i线nmKrF光刻胶突破可期;靶材区域聚集特征显著,国内下游半导体产业高速发展,有望带动上游国产溅射靶材加速导入;高端超净高纯试剂自给率有待提升,国产双氧水达到G5级,成功突破国外垄断,整体湿电子化学品市场持续高速增长。

  ■第九章:封测短期压力不改长期成长趋势。全球封测产业格局清晰,台湾省、美国、大陆三足鼎立的局势已然形成。封装产业属于规模经济产业,具有明显的规模效应,有大者恒大的趋势,全球前三企业市占率46.1%,国内三巨头长电科技、华天科技、通富微电通过产业布局、扩产兼并、先进技术积累等一系列动作慢慢壮大,在全球行业中分别排名第3,第6,第7,先进封装技术水平和海外基本同步,BGA、WLP、SiP等先进封装均已实现量产,成为国内半导体产业链中成熟度最高,破局势能最强劲的领域。随着未来三年大陆FAB建厂潮来临、投产,国产封测有望持续迎来成长空间!

  ■全球半导体材料市场回暖。经历了2015-2016连续两年产业规模下滑后,2017年半导体材料市场回复增长,产业规模达469.3亿美金,同比增长9.60%。以地域结构来看,全球所有地区半导体材料市场规模均实现了不同程度的增长。

  ■产业持续东移,中国大陆增速第一。从占比来看,半导体材料市场中,中国大陆占比已实现连续十年稳定提升,从2007年占全球比重7.55%,到2017年占比16.24%。从增速来看,中、韩、欧高于全球平均增速,从高到低依次为,中国大陆同比增长12.06%,我国台湾地区同比增长11.85%,韩国同比增长10.93%,欧洲同比增长10.89%,其中欧洲基数过小,主要增长还是以中、韩为主,产业东移趋势明显。

  ■晶圆前端制造材料率先增长,与我们传导图预测一致。从产品结构来看,2017年,晶圆制造材料市场规模达278亿美元,同比增长12.55%,封装材料市场规模为191亿美元,同比下滑-2.55%。晶圆制造与封装材料此前大多保持同向变动,且增速差距不大。此次晶圆制造材料率先增长,与我们传导图所提及的受益环节由前端制造向后端封测传导逻辑相符。

  ■硅片是晶圆制造的基石。从材料所属环节来看,根据Wind数据,2017年,晶圆制造材料占半导体材料市场规模的59%,封装材料占比41%。晶圆制造材料中,SEMI数据显示,占比较高的依次为硅片、电子气体、掩膜版、光刻胶及配套试剂,其中硅片占比达31%;封装材料中占比较高的依次为封装基板、引线框架、键合丝、包封材料以及陶瓷基板。

  ■?硅片是半导体产业上游核心基材。超过98%的电子元件基材需要使用单晶硅片作为载体,对均匀度、纯度要求极高,一般光伏级硅片纯度需要达到99.99999%(7个9),而半导体级硅片纯度需要达到99.999999999%(11个9)。

  ■硅片制备工艺主要有直拉法与区熔法。直拉法由柴可拉斯基发明,故又称CZ法,半导体工业更普遍采用直拉法,约85%的硅片由直拉法生产,15%的硅片由区熔法生产。按应用分,直拉法生长出的单晶硅,主要用于生产集成电路元件,而区熔法生长出的单晶硅主要用于功率半导体。直拉法工艺成熟,更容易生长出大直径单晶硅;区熔法熔体不与容器接触,不易污染,纯度较高,适用于大功率电子器件生产,但较难生长出大直径单晶硅,一般仅用于8寸或以下直径。

  ■?从单晶硅棒至成品硅片需经多道复杂工艺。从单晶硅棒开始,到包装付运结束,一般需要经历径长滚磨、切断、线切、激光标识、倒角、磨片、腐蚀、边缘镜面抛光、预热清洗、退火、背封、最终抛光、检查前清洗、几何参数检测、最终清洗、激光检查、包装付运。每道工艺步骤都有其目的,主要可以归为三类:修正物理性能、减少不期望的表面损伤、消除表面玷污及颗粒。

  ■硅片尺寸不断演进。硅片尺寸早期以英寸为标准,如1英寸(25.4mm)、2英寸(51mm)、3英寸(76mm)。从1975年4英寸硅片诞生以来,硅片尺寸开始以公制单位mm为标准,100mm(4英寸)、125mm(4.9英寸,习惯称5英寸)、150mm(5.9英寸,惯称6英寸)、200mm(7.9英寸,惯称8英寸)、300mm(11.8英寸,惯称12寸)以及将来的450mm(17.7英寸,惯称18英寸)。目前6寸及以下尺寸硅片一般应用于中低阶产品,8寸至12寸则被应用于CPU、GPU等高阶产品,其中12寸还广泛应用于存储器、嵌入式芯片等产品。

  ■硅片向大尺寸迁移是大势所趋。12寸硅片占比不断提高,按出货量计算,2017年12寸硅片每月出货536万片,占总硅片出货量比重达40%,预计到2022年,12寸硅片出货量将达661万片,占比提升至45%。从下游晶圆制造来看,目前全球8寸晶圆制造设备几乎停产,向12寸迁移趋势已不可逆转。

  ■?为什么要大尺寸?首先,大尺寸硅片生产效率更高,12寸硅片面积为8寸硅片的2.25倍,以硅片面积粗略估算DPW(dieperwafer)将提升约125%;其次,大尺寸硅片单位成本更低,英飞凌估算从8寸迁移至12寸将带来较强的成本优势,12寸相较8寸,尺寸为2.25倍,原来成本为2.8倍,设备成本为1.7倍,人工成本随着自动化率提升,仅为0.8倍,其他成本为1.5倍,综合来看,相较于8寸,12寸晶圆单位面积成本将改善20-30%。

  ■硅片市场格局高度集中,国际大厂处于垄断地位。数据显示,从2012年起,半导体硅片市场前六大厂商市占率始终保持在90%以上,2016年环球晶与SunEdison合并之后,市场集中度进一步提升。从地域结构来看,日本的信越与胜高合计市占率始终保持在50%以上,我国台湾地区的环球晶圆市占率达17%,欧洲Siltronic市占率为15%,韩国SKSiltron为9%。

  ■?硅片国产替代稳步推进。面对硅片短缺、进口依赖、需求增长等各方面挑战,我国大力推进国产硅片项目。预计完全达产后,8寸、12寸硅片产能将分别至少增加300万片/月,随着8寸项目率先逐步投产,8寸硅片自给率将陆续提高,上海新阳12寸硅片正片已实现出货,晶圆厂上游硅片进口依赖问题将部分解决,成本端压力相应减轻,盈利能力有望进一步提升。

  ■光刻胶是光刻工艺的核心材料,是指通过紫外光、深紫外光、电子束、离子束、X射线等光照或辐射,其溶解度发生变化的耐蚀刻薄膜材料,是光刻工艺中的关键材料,主要应用于集成电路和半导体分立器件的细微图形加工。

  ■根据在显影过程中曝光区域的去除或保留可分为两种:正性光刻胶和负性光刻胶。正性光刻胶之曝光部分发生光化学反应会溶于显影液,而未曝光部分不溶于显影液,仍然保留在衬底上,将与掩膜上相同的图形复制到衬底上。而负性光刻胶之曝光部分因交联固化而不溶于显影液,而未曝光部分溶于显影液,将与掩膜上相反的图形复制到衬底上。

  ■光刻胶分辨率随IC集成度提高而提高。在大规模集成电路的制造过程中,光刻和刻蚀技术是精细线路图形加工中最重要的工艺,决定着芯片的最小特征尺寸,占芯片制造时间的40-50%,占制造成本的30%。半导体光刻胶随着市场对半导体产品小型化、功能多样化的要求,而不断通过缩短曝光波长提高极限分辨率,从而达到集成电路更高密度的集积。

  ■?根据使用的不同波长的曝光光源分类,如g线nm)、i线.5nm),相应的光刻胶组分也会有一定的变化。如248nm光刻胶常用聚对羟基苯乙烯及其衍生物为光刻胶主体材料,193nm光刻胶为聚酯环族丙烯酸酯及其共聚物,EUV光刻胶常用聚酯衍生物和分子玻璃单组分材料等为主体材料。

  ■光刻胶行业进入壁垒较高,初期投入较大。光刻胶研发难度较大,不同的客户会有不同的应用需求,同一个客户也有不同的光刻应用需求,不同的光刻过程对光刻胶的具体要求也不一样,即使类似的光刻过程,不同的厂商也会有不同的要求。针对以上不同的应用需求,光刻胶的品种非常多,对厂商的配方研发能力提出较高要求。同时,行业资金壁垒较高,光刻胶的研发需要使用光刻机,以ASML为例,EUV光刻机常年保持在1亿欧元左右,248nm的KrF光刻机也基本维持在一千万欧元以上。

  ■全球光刻胶市场规模持续增长。中经先略数据中心数据显示,2015年全球光刻胶市场规模达到73亿美元,2010至2015年市场规模CAGR约为5.8%,预计2019年市场规模将接近90亿美元,2020年,市场规模将突破100亿美元。

  ■光刻胶市场呈现寡头垄断格局。新材料在线大厂商占据了全球光刻胶市场87%的份额,行业集中度较高。市占率由高到低分别是:日本JSR(28%)、东京应化(21%)、罗门哈斯(15%)、日本信越(13%)以及富士电子材料(10%)。

  ■PCB光刻胶市场稳定增长,国产份额持续增长。中国产业信息网数据显示2015年全球PCB光刻胶市场规模达18亿美元,从地域结构来看,随着外资企业将产能迁至中国,中国PCB光刻胶产值占全球比重约70%,达12.6亿美金。另外,随着国内供应商逐步掌握了PCB油墨关键原材料合成树脂的合成技术,改变了过去对进口合成树脂的依赖,有效降低了产品成本,形成较为明显的价格竞争优势。目前,外国独资企业约占我国PCB油墨市场的36%,中外合资企业约占18%,本土企业约占46%。

  ■?新增面板产能持续促进面板光刻胶需求。根据智研咨询数据,虽然面板出货量有所下滑,但随着全球高世代线陆续投产,面板出货面积有所增长,对上游面板光刻胶需求稳定增长,全球2016年面板光刻胶市场规模突破20亿美元,预计2020年将达到23.7亿美元,复合增速约为4%。

  ■半导体产业回暖促进上游光刻胶需求。中国半导体行业协会数据显示,2016年全球半导体光刻胶市场规模达14亿美元,配套试剂规模达19亿美元,随着16年以来半导体行业持续回暖,对上游需求不断增长,预计2018年全球半导体光刻胶规模将接近16亿美元,配套试剂规模将突破20亿美元。

  ■?产业东迁,国内光刻胶市场空间巨大。光刻胶下游需求量最大的三大行业,都呈现出产能动迁,中国占比提升的趋势。PCB方面,2006年以来,我国PCB市场规模始终维持世界第一的基础上,份额不断增加,SEMI数据显示,2016年我国PCB市场规模占全球比重达50%,Prismark预测,今后我国PCB市场规模仍将维持3.5%的复合年增长率;显示面板方面,中国市占率不断提升,IHS数据显示,2016年我国面板产能占全球比重为26%,随着京东方等十数家国产厂商扩产项目陆续投产,预计2018年我国面板产能占比有望提升至35%以上;半导体方面,我国集成电路市场增速自2012年以来始终维持在10%以上,远高于全球平均增速,中国半导体行业协会数据显示,2017年,我国IC国产自给率达到36%,预计2020年将超过40%。综合来看,我们国内光刻胶需求量将持续增长,中经先略数据显示,2015年我国光刻胶需求量为10万吨,预计到2022年,我国光刻胶需求量将超过27万吨。

  ■国内光刻胶产品尚有较大改善空间。智研咨询数据显示,全球光刻胶下游应用较为均衡,PCB光刻胶、平板显示光刻胶、半导体光刻胶以及其他应用占比基本都在25%左右,而国内光刻胶主流应用集中在PCB用光刻胶,占比超90%,结构较为单一,产品以低端为主,随着国内研发团队的不断突破,国产LCD、半导体光刻胶占比有望提升。

  ■高端光刻胶自给率较低,苏州瑞红实现i线光刻胶量产。结合中经先略数据中心以及辐射固化委员会的数据来看,我国光刻胶供需比长期维持在90%左右,2015年我国光刻胶需求量为10.16万吨,产量为9.7万吨,供需比约为95%,粗看之下,似乎已基本实现国产自给,实则正如上文所述,我国光刻胶产量中,PCB光刻胶占比超94%,而LCD、半导体用高端光刻胶自给率仍然有待提升,目前苏州瑞红已实现i线nm光刻胶的攻关上,苏州瑞红与北京科华处于领跑地位。

  ■?溅射(Sputtering)工艺属于物理气相沉积(PVD)技术的一种,是制备电子薄膜材料的主要技术之一,它利用离子源产生的离子,在高真空中经过加速聚集,而形成高速度能的离子束流,轰击固体表面,离子和固体表面原子发生动能交换,使固体表面的原子离开固体并沉积在基底表面,被轰击的固体是用溅射法沉积薄膜的原材料,称为溅射靶材。

  溅射靶材的种类较多,即使相同材质的溅射靶材也有不同的规格,。按照不同的分类方法,能够将溅射靶材分为不同的类别:

  ■溅射靶材的应用领域广泛,由于应用领域的不同,溅射靶材对金属材料的选择和性能要求存在一定的差异。在溅射靶材应用领域中,半导体芯片对溅射靶材的金属材料纯度、内部微观结构等方面都设定了极其苛刻的标准,需要掌握生产过程中的关键技术并经过长期实践才能制成符合工艺要求的产品,因此,半导体芯片对溅射靶材的要求是最高的,价格也最为昂贵;相较于半导体芯片,平面显示器、太阳能电池对于溅射靶材的纯度和技术要求略低一筹,但随着靶材尺寸的增大,对溅射靶材的焊接结合率、平整度等指标提出了更高的要求。此外,溅射靶材需要安装在溅射机台内完成溅射过程,溅射机台专用性强,对溅射靶材的形状、尺寸和精度也设定了诸多限制。

  ■?溅射靶材产业链基本呈金字塔型分布。,溅射靶材产业链主要包括金属提纯、靶材制造、溅射镀膜和终端应用等环节:

  高纯溅射靶材制造环节技术门槛高、设备投资大,具有规模化生产能力的企业数量相对较少,主要分布在美国、日本等国家和地区;

  溅射靶材客户端的溅射镀膜环节具有规模化生产能力的企业数量相对较多,但质量参差不齐,美国、欧洲、日本、韩国等知名企业居于技术领先地位,品牌知名度高、墙饰涂料市场影响力大,通常会将产业链扩展至下游应用领域,利用技术先导优势和高端品牌迅速占领终端消费市场,如IBM、飞利浦、东芝、三星等;

  ■终端应用环节是整个产业链中规模最大的领域,其产品的开发与生产分散在各个行业领域,同时,此环节具有突出的劳动密集性特点,参与企业数量最多,机器设备投资一般,主要分布在日本、中国台湾和中国大陆等,并逐渐将生产工厂向人力成本低的国家和地区转移。

  ■下游需求全线增长驱动溅射靶材市场规模高速增长。《高纯溅射靶材行业市场分析报告》数据显示,2016年全球高纯溅射靶材市场规模约为113.6亿美元,同比增长接近20%,其中平板显示用靶材为38.1亿美元,占比34%,半导体用靶材11.9亿美元,占比10%,太阳能电池用靶材23.4亿美元,占比21%,记录媒体靶材33.5亿美元,占比29%。预计2016到2019年,,全球高纯溅射靶材市场年复合增长率将维持在13%左右,2019年,市场规模将超过163亿美元。

  ■半导体景气周期持续促进上游溅射靶材销售规模扩大。SEMI数据显示,2015年全球半导体材料销售额为435亿美元,其中晶圆制造材料销售额为242亿美元,封装材料为193亿美元。在晶圆制造材料中,溅射靶材约占芯片制造材料市场的2.6%。在封装测试材料中,溅射靶材约占封装测试材料市场的2.7%。2015年全球半导体用溅射靶材销售额为11.4亿美元。随着半导体景气周期的持续,对上游溅射靶材的需求将加速增长,预计2017年,全球封测用溅射靶材市场规模为6.1亿美元,晶圆制造用溅射靶材市场规模为7.3亿美元。

  ■溅射靶材市场持续东迁。《超高纯度溅射靶材行业市场分析报告》数据显示,2011年以来,我国集成电路用溅射靶材市场增速始终高于全球半导体溅射靶材市场增速,2015年我国集成电路用溅射靶材市场规模为11.6亿元,预计2016年国内市场规模将突破14亿元。

  ■全球平板显示用溅射靶材市场增速放缓,国内需求保持高速增长。中国电子材料行业协会数据显示,2015年,全球平板显示用溅射靶材市场规模达33.8亿美元,同比增长7.64%。同时,随着我国平板显示产能持续扩张,对上游靶材需求仍旧保持了较快的增长,2015年我国平板显示用溅射靶材市场规模达69.3亿美元,同比增长26%,增速远超全球平均增速。我们预计,随着未来国产溅射靶材技术进一步提升,基于产品价格、采购国产化等因素的考虑,我国液晶面板厂商将开始有选择地与本土优秀溅射靶材厂商建立长期合作伙伴关系,有望带动我国溅射靶材行业快速发展。

  ■全球光伏电池用溅射靶材维持高速增长。太阳能光伏产业的快速发展给太阳能电池用溅射靶材市场带来了巨大的成长空间,2015年全球太阳能电池用溅射靶材市场规模18.5亿美元,同比增长21.7%。目前国内太阳能电池主要以硅片涂覆型太阳能电池为主,薄膜电池的产量仍较小,而且以硅薄膜电池为主,因此溅射靶材市场规模较小,2013、2014、2015年的市场规模分布为3.5、4.6和7.5亿元。随着国内薄膜电池生产线的投产,我国太阳能电池用溅射靶材市场将持续增长。

  ■国际大厂处于领先地位,行业集中度较高,呈现区域集聚特征。全球范围内,半导体工业的区域集聚性造就了高纯溅射靶材生产企业的高度聚集,日矿金属、霍尼韦尔、东曹、普莱克斯、住友化学、爱发科等美、日企业,资金实力雄厚、技术水平领先、产业经验丰富的跨国公司居于全球高纯溅射靶材行业的领导地位,属于溅射靶材的传统强势企业,凭借其强大的技术研发实力和市场影响力牢牢占据全球溅射靶材市场的绝大部分市场份额。

  ■?国内下游半导体产业高速发展,有望复制美、日区域聚集性模式经验,带动上游国产溅射靶材加速导入国内市场。目前,国产靶材厂商主要集中在低端产品领域进行竞争,在半导体芯片、液晶显示器和太阳能电池等市场还无法与国际巨头全面抗衡,但是依靠产业政策导向、产品价格优势已经在国内市场占有一定的市场份额,并逐步在个别产品或领域挤占国际厂商的市场空间。同时,在高端领域,以江丰电子为代表国产高纯溅射靶材厂商,逐渐打破了国外技术垄断,成功进入了下游知名半导体企业供应名单。

  ■湿电子化学品是指电子工业使用的专用化学品和化工材料,即电子元器件、印刷线路板、工业及消费类整机生产和包装用各种化学品及材料。电子化学品具有品种多、质量要求高、用量小、对环境洁净度要求苛刻、产品更新换代快、资金投入量大、产品附加值较高等特点,这些特点随着微细加工技术的发展越来愈明显。

  ■按用途分类,主要分为通用性超净高纯试剂与功能性材料,超净高纯试剂是控制颗粒和杂质含量的电子工业用化学试剂。按照性质划分可分为:酸类、碱类、有机溶剂类和其它类;功能性材料主要包括显影液、剥离液、蚀刻液、稀释剂和清洗液等。

  ■从产品结构来看,超净高纯试剂需求量占比达88%,功能性材料占比达12%。其中,超净高纯试剂中,占比较大的依次是,双氧水、硫酸、氢氟酸、硝酸以及磷酸;功能性材料中,占比较大的依次是,半导体用显影液、刻蚀液、面板用显影液、剥离液以及缓冲刻蚀液。

  ■?1975年,国际半导体设备和材料组织(SEMI)制定了国际统一的超净高纯试剂标准,以对应不同线宽的集成电路应用。从SEMI制定的国际统一超净高纯试剂标准可以看出,随着集成电路制作要求的提高,工艺所需的试剂纯度不断提升。目前,国际上制备G1到G4级超净高纯试剂的技术都已经趋于成熟。随着集成电路制作要求的提高,对工艺中所需的电子化学品纯度的要求也不断提高。从技术趋势上看,满足纳米级集成电路加工需求是超净高纯试剂今后发展方向之一。

  ■自给率有待提升,晶瑞股份双氧水达到G5级,突破国外垄断。目前G1级超净高纯试剂主要应用于光伏领域,是国产产品的主要市场,已完全国产;G2级主要用于分立器件、LED制造以及平板显示领域,已实现大部分国产化;G3级主要用于LED、平板显示以及部分集成电路,已实现部分国产化,能满足大部分LED、显示领域的生产需求;G4、G5级主要用于集成电路,对试剂纯度要求较高,目前自给率较低,晶瑞股份所生产的硝酸、氢氟酸、氨水、盐酸、异丙醇等产品已达到SEMIG4等级,可用于0.09-0.2微米的集成电路;拳头产品双氧水已经达到10ppt级别水平,相当于SEMIG5等级,突破了国外技术垄断,可用于90nm以下集成电路。

  ■国内湿电子化学品市场将持续高速增长。按下游应用分类,湿电子化学品主要用于平板显示、半导体以及光伏领域,其中,显示面板与半导体的规模增长将持续驱动对上游湿电子化学品需求的增长。智研咨询数据显示,2016年,我国湿电子化学品市场容量达74万吨,同比增长10%,市场规模达59亿元,同比增长14.5%,预计2016-2019年CAGR为22%,2019年市场容量有望达到130万吨,市场规模有望达到107亿元。

  ■平板显示制程工艺环节的清洗、光刻、显影、蚀刻环节需要反复应用湿电子化学品。在平板显示制程工艺中,将玻璃基板制成可用的薄膜电晶体,需要重复清洗、镀膜、上光阻、曝光、显影、蚀刻、区光阻等过程,一般来说,要制造TFT-LCD需要重复5到7次上述工序。其中,湿电子化学品主要用于清洗、光刻、显影、蚀刻等环节。

  ■高世代线湿化学品国产化率十分有限。随着平板显示向高世代发展趋势的加快,对产品的良品率、稳定性、分辨率以及反应时间会有越来越高的要求,相应对高世代线用湿电子化学品提出越来越高的要求。目前,国内平板显示领域3.5代线及以下用超净高纯试剂基本实现国产化,4.5代线代线平板显示用湿电子化学品的国产化率仅有30%,6代线代线平板显示用湿电子化学品国产化率仅有10%左右。以正胶剥离液为例,目前国内面板厂商上游正胶剥离液供应几乎被日韩垄断,仅江化微打入中电熊猫液晶6代线,实现突破。

  ■国内面板产能扩张,驱动上游湿电子化学品市场高速增长。智研咨询数据显示,2016年,我国面板用湿电子化学品需求量达到37万吨,市场规模约为30亿元,随着面板厂商不断扩张产能,预计2016至2019年需求量复合年增长率为25%,则2019年需求量将达到71万吨,假设均价维持在8250元/吨不变,2019年市场规模将达到59亿元。

  ■晶圆制造过程中,要反复通过十几次清洗、光刻、蚀刻等工艺流程,每次都需要湿电子化学品进行相关处理。从整个半导体集成电路的制作流程看,湿电子化学品主要用于半导体集成电路前段的晶圆制造及后端的封装测试环节。晶圆制造是属于技术要求高的环节,并且随着集成电路的集成度不断提高,要求线宽不断变小,薄膜不断变薄,相应需要技术水平更高的湿电子化学品才能满足工艺需求。同时,为了能够满足芯片尺寸更小、功能更强大、能耗更低的技术性能要求,高端封装领域所需的湿电子化学品技术要求也越来越高。后段用湿电子化学品主要应用于高端封装领域的清洗、溅射、黄光、蚀刻等工艺环节。

  ■?8寸以上市场国产化率仍有待提高。目前国内6寸及以下晶圆加工用的湿电子化学品,国产化率为80%,而8寸及以上晶圆加工的市场,国产化率仅为10%左右,综合来看,整体半导体晶圆制作用湿电子化学品的国产化率在25%左右,仍有较大提升空间。

  ■产业转移带来下游需求增长,将带动半导体湿电子化学品市场维持高速增长。智研咨询数据显示,2016年,我国半导体用湿电子化学品需求量达到23.5万吨,市场规模约为22亿元,随着晶圆制造、封测、IDM厂商不断扩张产能,预计2016至2019年需求量复合年增长率为28%,则2019年需求量将达到44万吨,市场规模将达到41亿元。

  ■光伏太阳能领域对湿电子化学品的技术水平要求相对较低,目前国内光伏太阳能用超净高纯试剂已基本实现国产化。太阳能电池主要是一个大面积的半导体光电二极管,是一种由于光生伏特效应而将太阳光能直接转化为电能的电子元器件,能利用光电材料吸收光能后发生光电效应,将光能转换为电能。智研咨询预计,2016至2919年,光伏用湿电子化学品市场复合年增长率将维持在5%左右。

  ■公司是国内高纯溅射靶材龙头企业,主要产品包括钽靶、铝靶、钛靶、钨钛靶以及LCD用碳纤维支撑,到了美、日跨国公司的垄断,产品成功进入台积电、联电、中芯国际、华虹等知名厂商供应链,广泛应用于半导体、平板显示、光伏领域。

  ■下游应用扩张,相应订单增加,公司业绩持续高速增长。2017年,公司营收达5.5亿元,同比增长24%,净利润6403万元,同比增长17%;2018年第一季度,公司营收达1.39亿元,同比增长20%,归母净利润达1311万元,同比增长37%。

  ■四大产品线全线增长。分产品来看,公司4大产品线%;铝靶收入1.42亿元,同比增长35.64,占收入比重26%;钛靶收入9679万元,同比增长28.60%,占收入比重18%;LCD用碳纤维支撑收入6797万元,同比增长7.27%,占收入比重12%。

  ■综合毛利率维持稳定,铝靶毛利率持续提升。公司毛利率多年来稳定维持在30%以上,2018Q1毛利率为30.65%,净利率维持在10%左右,主要受产品结构调整影响。分产品来看,公司钽靶、钛靶毛利水平分布维持在40%、30%左右,铝靶毛利率不断提升,从2012年不到10%,迅速提升至2017年的27.39%。

  ■?公司研发投入持续增长,关键技术不断突破。公司高度重视技术研发,研发投入逐年增长,2017年研发费用3249万元,同比增长20.85%。在高研发投入下,公司不断突破CFRP、CMP、28-14nm等各类产品之关键技术:

  公司掌握了CFRP之总工艺,已于2017年下半年开始批量生产,并向平板显示器生产商批量供货;

  公司引进相关技术人才,开发PVD、CMP用保持环、抛光垫等零部件,目前保持环、抛光垫已取得量产订单,CMP产品也获得了国产订单;

  公司持续功课28-14nm技术解读用钽靶、钛靶相关技术,部分产品已在客户端量产,16nm用钽环已量产,14nm用钛靶也已开始客户认证流程。

  ■?晶瑞股份经过十数年深耕,已成为国内微电子化学品龙头。公司作为国内较早进入微电子化学品生产领域的企业之一,主导产品包括超净高纯试剂、光刻胶、功能性材料和锂电池粘结剂四大类微电子化学品,广泛应用于半导体、光伏太阳能电池、LED、平板显示和锂电池等五大新兴行业,具体应用到下游电子信息产品的清洗、光刻、显影、蚀刻、去膜、浆料制备等工艺环节。

  ■外延并购助力业绩高速增长。公司于2017年9月,收购苏州瑞红少数股东权益;于12月增资江苏阳恒,持股比例达80%,纳入合并范围。2017年全年以及2018年第一季度营业收入分别为5.35亿元及1.62亿元,同比增长分别为22%和46%;分别实现归母净利润3618万、929万元,同比增长7%、43%。

  ■四大产品全线增长,锂电池粘结剂占比提升。分产品来看,公司锂电池粘结剂维持高速增长,2017年收入1.88亿元,同比增长27%,占比达36%;超净高纯试剂、光刻胶与功能性材料业务在经历2015年的收入下滑后,全面回暖,2017年分别收入1.98、0.75与0.66亿元,同比增长18%、27%与31%,占收入比重达38%、14%与12%。

  ■?光刻胶维持高毛利率,锂电池粘结剂毛利率回升。公司毛利率自2014年达到高点后,近年来持续下滑,主要由于低毛利率业务锂电池粘结剂占比提升所致。分产品来看,光刻胶由于行业壁垒较高,叠加分立器件用负胶占比提升,毛利率维持在50%以上的较高水平;超净高纯试剂由于原材料价格上涨,毛利率下滑至27%;功能性材料由于竞争加剧,毛利率略微下滑至28%;锂电池粘结剂由于核心原材料需要进口,加工业务毛利率较低,2017年毛利率有所回升至18.47%。

  ■公司持续加大研发投入,2017年,部分研发项目进入后期致研发费用略有减少。2014年以来,公司不断加大研发投入,于2016年达到高点,2017年略减至2834万元,主要由于部分研发项目进入后期,相关研发费用减少所致。公司研发投入占收入比重一直维持在5%以上。

  ■拥有多项自主知识产权,产品研发屡获突破。截止2017年底,公司拥有32项发明专利、4项实用新型专利;公司参与制定了多项行业标准,包括起草并正式颁布国标标准1项、国家标准3项、行业标准15项,主持起草3项行业标准,参与编制SEMI标准1项;同时公司目前在多项产品攻关获得突破:

  超净高纯试剂:双氧水重点技术攻关获得突破,提高了双氧水的稳定性,达到国际先进水平。

  光刻胶:依托国际02专项,多款i线光刻胶技术开发完成,同时还有多款光刻胶产品也取得了重大进展。

  ■公司生产的超净高纯试剂主要包括酸类中的氢氟酸、硝酸、盐酸、硫酸、乙酸,碱类中的氨水和有机溶剂类中的异丙醇等产品,以及双氧水。

  ■公司超净高纯试剂普遍达到G4水平,双氧水更是达到G5水平。公司生产的硝酸、氢氟酸、氨水、盐酸、异丙醇等产品已经达到0.1ppb水平,相当于SEMIG4等级,可用于0.09-0.2微米的集成电路;拳头产品双氧水已经达到10ppt级别水平,相当于SEMIG5等级,可用于90纳米以下集成电路,处于国际先进水平。

  ■?公司湿电子化学品已进入各大知名厂商。超净高纯试剂方面,公司的电子级双氧水达到全球第一梯队的技术品质,正在稳步推动进口替代,国内8寸和12寸标杆性客户正在按计划推进,其中已在华宏完成测试,即将进入中芯国际产线测试。功能性材料方面,公司开发了系列光刻胶产品配套,目前已进入半导体制造厂商宏芯微、晶导微的供应商体系,同时,硅蚀刻液顺利通过国外客户的技术测试,并实现批量出口。

  ■公司在国内率先实现i线光刻胶量产。公司光刻胶产品由子公司苏州瑞红生产,主要为半导体用光刻胶和平板显示用光刻胶,包括紫外负型光刻胶和宽谱正胶及部分g线、i线正胶等高端产品。苏州瑞红承担了国家重大科技项目02专项“i线光刻胶产品开发及产业化”项目,在国内率先实现目前IC制造商大量使用的核心光刻胶即i线光刻胶的量产,产品采用步进重复投影曝光技术,可以实现0.35m的分辨率。

  ■公司光刻胶已进入多家知名厂商认证程序。公司光刻胶项目,依托国家02专项项目,已完成了多款i线光刻胶产品技术开发工作,并且在天津中芯、扬杰科技、福顺微电子等知名半导体厂通过单项测试和分片测试,取得了客户的产品认证。同时,苏州瑞红研发的RZJ-325系列光刻胶、高粘附性光刻胶RFJ-210G、TFT-Array光刻胶部分产品、厚膜光刻胶RZJ-T3520等光刻胶产品也取得重大进展将逐步推向市场。

  ■?公司通过内生外延逐渐完善布局。公司上市后,通过产能扩张、对外投资等合理扩张,逐渐完善了市场布局:

  募投项目预计新增超净高纯试剂、光刻胶等新型精细化学品产能共计40000吨。

  2017年8月与11月,通过受让于增资的方式,投资2000.30万元,持股占比24.1%。

  2017年8月,设立子公司眉山晶瑞,目前注册登记已完成,拟在成眉石化园区投资新建8.7万吨光电显示、半导体用新材料生产基地。未来公司募投项目及眉山项目的建成投产,将有效扩大公司既有业务的规模,提高业务收入。

  2017年9月,以现金收购苏州瑞红少数股东权益,于2017年内收购完成,目前苏州瑞红已成为公司全资子公司。本次股权收购有助于整合公司业务板块,实现统一管理下的高效运作,为公司扩张业务规模、墙饰涂料增强盈利能力打下坚实的基础,未来将更充分享受半导体和锂电池行业的发展红利。

  ■2017年12月,公司对江苏阳恒73.9808%股权进行收购及增资,增资后持股比例为80%,于2018年2月收购完成。本次收购有利于公司完善超净高纯试剂产品线的布局。并且通过引入日本三菱化学株式会社的电子级硫酸提纯技术,可以提高细分产品的技术水平,与现有产品形成协同效应,有效提升公司的竞争力。

  ■国内半导体材料产业龙头企业。中环股份成立于1999年,致力于半导体节能和新能源两大产业,主导产品半导体区熔单晶-硅片综合实力全国第1,全球前3,国内市占率超过75%,全球市占率18%;太阳能高效硅片光电转换效率全球第1;太阳能高效单晶硅片市场占有率全球第1。公司光伏硅单晶研发水平全球领先,先后开发了具有自主知识产权且转换效率大于23%的高效N型DW硅片和转换效率25%、“零衰减”的CFZ-DW(直拉区熔)硅片。

  ■近两年营收持续高增长,毛利率增长显著。2016-17年公司营收分别为67.8亿、96.4亿元,同比保持35%和42%的高增长;1Q18收入28亿元,同比增长达69%。2017年毛利率为19.9%,同比增加6个百分点,盈利水平提升十分显著。2017年净利润6.1%,同比增加0.1个百分点。

  ■2017年公司收入结构中,新能源材料占比91%,半导体材料和半导体器件占比分别为6%和2%。占比最大的新能源材料毛利率较低,近三年分别为14%、12%和19%。半导体材料近三年毛利率为23%、15%和24%。电力毛利率最高,近三年达66%、62%和63%。

  ■2012年起,公司携手苹果、SunPower及内蒙古、四川当地优势企业,利用丰富的太阳能资源和双方多项具有全球领先水平的技术,采用集本地化系统制造和电站开发于一体的商务模式,在内蒙古和四川分别开发建设7.5GW和3GW光伏电站综合项目,辐射全国并共同开发全球市场。

  ■2015年5月,公司公告与与有研总院、晶盛机电签署了《半导体硅材料产业战略合作协议》,三方拟组建合资公司,合作半层体硅材料项目。此次合作推动了公司8英寸以上单晶项目发展,加强了公司在半导体硅材料领域的领先地位。

  ■与扬杰科技合资投资建设宜兴封装基地。2018年6月公司与扬杰科技、宜兴经济技术开发区签订合作框架协议,公司与扬杰科技在宜兴成立合资公司,持股40%,负责封装基地的建设和运营,总投资规模约10亿元,本次合作有望增强公司半导体器件业务实力,提升产业整体竞争力。

  ■收购国电光伏90%股权,高度契合双产业链布局。2018年7月公司成功以6.59亿元收购国电光伏90%股权,同时向包括中环集团在内的不超过10名特定投资者发行股份募集配套资金,用于国电光伏厂房及公辅设施的修复与维护,以及相关费用。国电光伏背靠国电集团,曾是全球较大的太阳能EPC总承包公司,具备较强的市场影响力。本次交易包括国电光伏宜兴基地内的土地1316亩,还包括房屋、道路等大量资产,收购后中环股份将大大加强半导体和光伏产业重镇无锡的战略布局,与公司的双产业链高度契合,并将进一步扩充产能,在与单晶龙头隆基的竞争中提升竞争力。

  ■?半导体封测是半导体制造的后道工序,封装主要作用是将芯片封装在支撑物内,以增加防护并提供芯片和PCB之间的互联。封装作为半导体行业的传统领域,伴随着半导体的发展而推陈出新。封测行业的供需结构和整体发展也和整个半导体行业的发展紧密相关。而受益于半导体行业高速发展的联动效应,半导体封测行业也获得了提升的动力。

  ■我们认为近年封测业部分承压消费电子疲软叠加基板、被动元件涨价等成本传导,增速有所放缓,但整体仍呈稳定增长。从全球封测行业市场规模来看,根据WSTS数据,2016年封装市场和测试市场的市场规模分别为406亿美元和101亿美元,总规模507亿美元;其中封装和测试占比分别为80%和20%,多年来占比保持稳定。据WSTS,2017-2018年全球封装市场和测试市场有望分别保持2.10%和2.40%的复合增长率,2018年的市场规模有望达到423亿美元和106亿美元。

  ■封装产业属于规模经济产业,具有明显的规模效应,有大者恒大的趋势,而并购又是企业成长最快的一种方式。随着半导体产业进一步进入成熟期,封测行业并购不断的现象屡见不鲜,龙头企业强者恒强的趋势愈发凸显。

  ■受惠于政策资金的大力扶持,我国封测企业逐步开启海内外并购步伐,不断扩大公司规模。政府无论在政策还是资金上均大力扶持国内封测企业通过并购扩大规模获得先进封装技术。其中长电科技联合产业基金、芯电半导体收购新加坡封测厂星科金朋,华天科技收购美国FCI,通富微电联合大基金收购AMD苏州和槟城封测厂,晶方科技则购入英飞凌智瑞达部分资产。国内封测厂商借助并购潮进入了实力显著提升的快车道,近年来通过外延并购和内生发展,国内封测厂实现了远超同行增长率的快速壮大,已经成为了全球半导体封测行业的重要力量。

  ■大陆跻身第三,势能强劲。目前在全球封测行业市场中,中国台湾占比54%,美国17%,中国大陆12%,日韩新等国分享不到20%的市场份额。封测行业三足鼎立的局势已然形成。依据wind产业数据显示,2017年全球前三企业市占率46.1%,国内长电科技位居三强之列。全球封测前十大厂商台湾占据5家、中国3家、美国1家以及新加坡1家。

  ■?台湾半导体封测产业已有30多年历史,凭借着先进的制程工艺和封装技术,以及长年累月的客户和经验积累,以日月光、矽品为领头羊的一代封测行业龙头涌现出来,在技术、产能和经营等方面的领导能力使得台湾半导体封测行业欣欣向荣,规模逐渐增大。在2014-2017年的全球封测行业代工市场中,台湾占比50%以上,稳居龙头宝座。

  ■从半导体细分领域来看,国内厂商无论芯片设计(IDM或Fabless)或者是晶圆代工领域,在技术和规模上都和国际巨头有着显著差距,整体水平和市场影响力尚有限;反观封测行业,国内三巨头长电科技、华天科技、通富微电通过产业布局、扩产兼并、先进技术积累等一系列动作慢慢壮大,在全球行业中分别排名第3,第6,第7,成为国内半导体产业链中成熟度最高,破局势能最强劲的领域。

  ■2017全球前10大专业IC封测厂商的排名与2016年相比几乎无异,前三名依次为日月光、安靠、长电科技。力成受惠于高性能运算应用与大数据存储内存需求提升,通过与镁光合作的进一步深化,以年营收成长26.3%的成绩位居第五。由排名可以明显看出,2017年国内封测巨头长电科技、华天科技、通富微电营收同比增长分别为12.5%,28.3%,32.0%,显著高于日月光、安靠等厂商的增长率,营收金额更是远远高于全球平均水平。这主要得利于国内政策的利好和大基金的扶持,国内封测厂大张旗鼓的并购整合,以及不断向先进封装技术演进的扎实修炼。

  ■封装是指把芯片上的电路管脚,用导线接引到外部接头处,以便与其它器件连接。因为芯片必须与外界隔离,以防止空气中的粉尘杂质对芯片电路的腐蚀而造成电气性能下降甚至电气功能失效。封装形式是指安装半导体集成电路芯片用的外壳。它不仅起着安装、固定、密封、保护芯片及增强电热性能等方面的作用,而且还通过芯片上的接点用导线连接到封装外壳的引脚上,这些引脚又通过印刷电路板上的导线与其他器件相连接,从而实现内部芯片与外部电路的连接。

  ■?20世纪70年代为通孔插装器件时代。主流的封装形式为通孔器件和插入式器件,包括DIP(双列直插式)和PGA(针栅阵列),器件的电气和机械联接分别通过机械接触和波峰焊接来实现。由于这类插装器件要求具备高对准度,但是又受到当时的工作条件所限,使得封装速率始终难以提高。

  ■20世纪80年代出现了SMT(表面贴装技术)。以PLCC(塑料有引线片式载体)和QFP(四边引线扁平封装)为代表,与传统的插装式不同,集成电路是通过将一些细微的引线贴装在PCB板上,其电气特性得到了提高,并且生产的自动化程度与70年代相比有了大幅的提升。此外,它还具有密度高、引线节距小、成本低和适于表面安装的优点。

  ■20世纪90年代为BGA(球栅阵列封装)和CSP(芯片尺寸封装)时代。在这个时期,集成电路规模飞速发展,引线间距不断减小,以至于到后来在工作过程中达到技术所能支撑的极限。在这种情势下,BGA的出现在很大程度上解决了遇到的问题。它以面阵列、焊球凸点为I/O引脚,大大提高了封装的密度,进入了爆炸性发展时期。

  ■而第四代封装技术在21世纪10年代逐步涌现出来,以高度集成化、小型化为主要特征,以FOWLP、SIP、3DTSV为主要代表,在凸点技术和瞳孔技术的基础上,进一步提升封装系统的高性能对集成化。

  ■随着电子行业日益往高集成度、小型化、低功耗、高密度化方向发展,微电子封装一方面朝着高集成度、高频率、大功率、低成本的方向发展,另一方面,新工艺和新材料的不断涌现,也使微电子封装朝着更节能、更环保和更持久的道路前进。

  ■以先进封装技术来说有两种发展途径,一方面是随着集成电路的制程能力不断进步,封装尺寸需要减小,主要技术有WLCSP、FC、Bumping、Fanout等;另一方面是多功能化趋势,由单功能向异质融合演进,主要技术包括TSV、SIP、3D封装等。

  ■受益Apple芯片封装,FOWLP需求井喷。扇出型晶圆级封装的英文全称为Fan-OutWaferLevelPackaging,即FOWLP,是指将来自于异质制程的多颗晶粒结合到一个紧凑封装中的新方法。FOWLP封装最早在2009~2010年由Intel提出,仅用于基带芯片封装。由于对更薄功能和增加I/O数量设备的需求,扇出式WLP受到越来越多的关注。

  ■晶圆级封装主要分为Fan-in和Fan-out两种。传统的WLP封装多采用Fan-in型态,应用于低接脚(Pin)数的IC。当芯片面积缩小的同时,芯片可容纳的引脚数减少,因此变化衍生出扩散型(Fan-out)WLP封装形态,实现在芯片范围外充分利用RDL做连接,以此获取更多的引脚数。在一个环氧行化合物(EMC)中嵌入每个裸片时,每个裸片间的空隙有一个额外的I/O连接点,这样I/O数会更高并且的对硅利用率也有所提高,使互连密度最大化,同时实现高带宽数据传输。

  ■相比于扇入型封装技术,FOWLP的优势在于:减小了封装厚度、扩展能力(用于增加I/O数量)、改进的电气性能、良好的热性能以及无基板工艺。扇出WLP在结构上类似于传统的球栅阵列(BGA)封装,但是消除了昂贵的衬底工艺。

  ■随着苹果(Apple)于2016年在应用处理器(ApplicationProcessor,AP)上采用扇出型晶圆级封装技术,带动该封装技术市场急速扩大,预计到2020年将会有超过5亿颗的新一代处理器采用FOWLP封装制程技术,并且在未来,每一部智能型内将会使用超过10颗以上采用FOWLP封装制程技术生产的芯片。市场调查公司相信,在未来数年之内,利用FOWLP封装制程技术生产的芯片,每年将会以32%的年成长率持续扩大其市场占有,到达2023年时,FOWLP封装制程技术市场规模相信会超过55亿美元的市场规模,并且将会为相关的半导体设备以及材料领域带来22亿美元以上的市场潜力。

  ■FoWLP封装技术未来将主要朝着两个方向发展,一个是以基带处理器、电源管理和射频收发器等芯片为主,在这些模片上嵌入一些异构设备,从而实现最新一代的超薄可穿戴和移动无线设备,这将会是FoWLP封装技术需主要稳固的市场。而另一个则是高密度FoWLP封装,主要针对内存和应用处理器等具备大量I/O引脚的芯片,这方面还有很多技术难点亟待突破。基于上述优。

本文由自贡市防晒涂料有限公司发布于公司产品,转载请注明出处:260页深度《“芯”时代“芯”机会PARTI》【中泰郑

关键词: 墙饰涂料